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由 6 個芯片硅 P/N 光電二極管陣列組成的光學器件,輸出信號具有高均勻性。 該器件基于 PiN 二極管,具有反向偏置的性能。 每個硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。
高光學響應度歸因于沉積在光電二極管有源區(qū)域上的優(yōu)化抗反射涂層。 暗電流非常適合高溫應用。
選擇材料是為了在整個溫度范圍內(nèi)獲得更好的性能。OID7與市場上其他標準件完全兼容,如OPR2100、OL2100、PA2100; 它在硅片(前端)和封裝(后端)中都有特殊設(shè)計,從而提高了組件的可靠性。
工作溫度范圍:-40…125 °C
儲存溫度:-40:125 °C
引線溫度(焊料)3s:260 °C
反向擊穿電壓@TA=25°C IR=100uA:40 V
芯片對環(huán)境(封裝)的熱阻:110 °C/W
暗電流
T=25°C VR=5V:典型0.35 nA ,max.5 nA
T=125°C VR=5V:典型5 uA
響應度 VR=5V λ=950nm:0.5…0.65 A/W
峰值響應度 VR=5V:950 nm
光譜帶寬@50% VR=5V:600…1050 nm
正向電壓 IF=10mA:0.85 V
上升時間 (10%...90%) (VR=20V RL=50,λ=650nm ip=250uA):40 ns
下降時間 (90%...10%) :40 ns
電容 VR=0V f=10kHz Φ=0:典型20 pF,max.30 pF
有效面積:2.75 mm2
有效區(qū)域長度:2.5 mm
有效區(qū)域?qū)挾龋?.1 mm
增量旋轉(zhuǎn)編碼器
增量線性編碼器
一般用途
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